単一メモリ素子に離散量の電荷を格納するための方法および回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：黒川弘朗 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-519573
公開番号（公開出願番号）：特表平9-508486
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】少なくとも3通りの電荷量の1つに応じてメモリ・セルをプログラミングするための方法および回路である。メモリ・セルに印加されるプログラミング・パルスの電圧レベルを増加することによって、メモリ・セル内に設定される電荷の量が増加する。

請求項（抜粋）：

少なくとも3通りの電荷量にメモリ・セルをプログラミングする方法において、 a)プログラミング電圧レベルを有するプログラミング・パルスをメモリ・セルに印加し、プログラミング電圧レベルを増加させることによって、メモリ・セルが格納する電荷量を増加させることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

G11C 16/04 , G11C 11/56

FI (2件)：

G11C 17/00 308 , G11C 11/56

引用特許：

審査官引用 (6件)

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