有機半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098010
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304115
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】電圧に対して安定に電気的特性が変化する有機半導体素子を提供する。【解決手段】基板、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有する有機半導体素子において、乾燥工程により一定以上の屈折率減少したシルセスキオキサン骨格を主体とする絶縁体を有することを特徴とする有機半導体素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも基板、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極からなる有機半導体素子において、 (1)前記ゲート絶縁体部を構成する化合物の少なくとも一種類が〔化1〕に示すシルセスキオキサン骨格を有しており、 (2)前記ゲート絶縁体部の膜厚が50nm以上250nm以下であり、 (3)前記ゲート絶縁体部が前駆体溶液のコーティング工程と乾燥工程により形成されたものであり、 (4)前記ゲート絶縁体部の波長632nmにおける屈折率が乾燥工程の前後で0.015以上減少していることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/47 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L21/47 , H01L29/78 617T , H01L29/28

Fターム (36件)：

5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F110AA14 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN62

引用特許：

審査官引用 (3件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-300993 出願人：株式会社東芝
特開平2-103052
フッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-035425 出願人：昭和電工株式会社

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