特許
J-GLOBAL ID:200903064130029683

薄膜トランジスタ、有機ELディスプレイ装置及び有機ELディスプレイ装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山谷 晧榮 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-065774
公開番号(公開出願番号):特開平8-330600
出願日: 1996年03月22日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【課題】有機ELディスプレイ装置の薄膜トランジスタにおいて、バリアメタルの溶出にもとづく短絡や断線を防止すること。【解決手段】薄膜トランジスタのソース領域105またはドレイン領域107を構成するシリコン活性層102と、該シリコン活性層102に接続されるアルミニウム配線113、114との間に、チタンまたは窒素含有量が50atm%以下の窒化チタンよりなるバリアメタル110、111を設ける。
請求項(抜粋):
ソースまたはドレインを構成するシリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  H05B 33/26
FI (2件):
H01L 29/78 616 V ,  H05B 33/26
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 電子回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-023289   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平3-108767
  • 薄膜半導体装置およびその作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-343943   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
全件表示

前のページに戻る