特許

J-GLOBAL ID：200903064141352702

金属-炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子

発明者： デイヴィッド ビー.スレーター ジュニア ,  ジョン エイ.エドモンド ,  マシュー ドノフリオ
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523380
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534143
出願日： 2004年08月12日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

炭化珪素(SiC)基板上に金属を形成し、この金属とSiC基板との界面部をアニーリングして、そこに金属-SiC材を形成し、SiC基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属-SiC材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法であって、 炭化珪素(SiC)層上に金属を形成すること、および この金属と前記SiC層との界面部をアニーリングして、そこに金属-SiC材を形成し、かつ前記SiC層上のある箇所ではアニーリングが行われないようにして、そこでは前記金属-SiC材が形成されないようにすること を備える前記方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L21/28 301B ,  H01L33/00 E

Fターム (14件)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許出願公開第09/787,189号明細書
  
• 米国特許出願公開第10/003,331号明細書
  
• 米国特許第5,087,949号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200224   出願人：株式会社東芝
• オーミック電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093674   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Laser Alloyaing for Ohmic Contacts on SiC at Room Temperature