特許
J-GLOBAL ID：200903064168501599
炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301936
公開番号（公開出願番号）：特開2003-104799
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 十分な成長速度での炭化珪素単結晶のポリタイプ変換を確保しつつ結晶品質劣化を抑制し、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有する炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法である。
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶インゴット中に異種元素含有層を少なくとも1層有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 33/00 A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077DB12
, 4G077EB01
, 4G077SA01
, 4G077SA06
, 5F041CA33
, 5F041CA47
, 5F041CA48
, 5F041CA58
