特許
J-GLOBAL ID：200903064173066523
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片山 修平
, 横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-070016
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235401
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】低背化を可能とし、第1半導体チップに加わるダメージを抑制すること。【解決手段】本発明は、第1半導体チップ10と、第1半導体チップ10にフリップチップボンディングされた第2半導体チップ20と、第1半導体チップ10の下面及び第2半導体チップ20の上面が露出し、第1半導体チップ10の側面S10が覆われるように、第1半導体チップ10及び第2半導体チップ20を封止する樹脂部30と、樹脂部30を貫通し、第1半導体チップ10に接続する柱状電極40と、を具備することを特徴とする半導体装置及びその製造方法である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1半導体チップと、
該第1半導体チップにフリップチップボンディングされた第2半導体チップと、
前記第1半導体チップの下面及び前記第2半導体チップの上面が露出し、前記第1半導体チップの側面が覆われるように、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップを封止する樹脂部と、
前記樹脂部を貫通し、前記第1半導体チップに接続する柱状電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
