特許
J-GLOBAL ID：200903064173954720
光電変換素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370850
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172603
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 ガラス基板を用いて形成する光電変換素子において、回路基板への実装するときの固着強度が向上する素子構造及びその作製技術を提供することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板に形成された表面実装型の光電変換素子の下面電極構造に関するものであり、当該下面電極は光電変換素子の受光面と反対側の面に形成され、その出力を取り出す電極である。本発明において、半導体層と接する下面電極の内層部は、該半導体層とオーム接触を示す第1の金属材料又は酸化物系導電材料から成り、外部回路と接続する外層部が半田と合金形成が可能な第2の金属材料で形成されている積層構造を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板に形成された下面電極構造を有する表面実装型の光電変換素子において、前記光電変換素子の下面電極は、半導体層と接触する内層部が前記半導体層とオーム接触を示す第1の金属材料から成り、外層部が半田と合金形成が可能な第2の金属材料で形成されている積層構造を有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F088AA03
, 5F088AB05
, 5F088BA20
, 5F088BB06
, 5F088CA02
, 5F088CB07
, 5F088CB15
, 5F088FA05
, 5F088FA12
, 5F088GA02
, 5F088JA03
, 5F088LA03
審査官引用 (3件)
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撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-329329
出願人：株式会社日立製作所, 日本放送協会, オリンパス光学工業株式会社
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半導体受発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-200350
出願人：昭和電工株式会社
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特開平3-145739
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