特許
J-GLOBAL ID：200903025600204945
半導体受発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200350
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051033
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 実装工程で半田食われに耐える電極構造をとることにより、配線基板上に直接搭載できるチップ型受発光素子を提供する。【解決手段】 オーミック電極部を耐半田浸食性の高い金属で完全に覆った電極構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体受発光素子において、半導体面上に半導体とオーミック接触をなす第一の金属層と第一の金属層より耐半田浸食性の高い第二の金属層を有し、第二の金属層が形成されている範囲が第一の金属層を包みかつ第一の金属層の側面が第二の金属層で覆われている構造の電極を有することを特徴とする半導体受発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 31/02 A
