特許
J-GLOBAL ID：200903064188204477
圧電/電歪体素子構造体及び圧電/電歪体素子構造体の製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 岩田 慎一
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252375
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100814
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】半導体プロセスで一般に用いられている微細加工や大面積化が可能で耐久性や強誘電特性に優れた素子ならびにそれらの製造方法を提供することを目的とする。更に耐久性や強誘電特性のひとつである圧電特性にも優れた圧電素子構造体および長尺でかつ高密度に形成された液吐出口を有し、安定した信頼性が高い液体噴射ヘッドならびにそれらの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 単結晶基板上に配向成長させて形成されたバッファー層と該バッファー層上に配向成長させて形成された下電極層と該下電極層上に配向成長させて形成された圧電/電歪体層と該圧電/電歪体層上に形成された上電極層を有する圧電/電歪体素子構造体であって、該バッファー層がパターニング形成され、このパターニングに倣って該圧電/電歪体膜がパターニングされる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
圧電/電歪体膜と該圧電/電歪体膜を挟持する下電極及び上電極とを有する圧電/電歪体素子構造体の製造方法であって、
単結晶基板の上にパターン状に配向成長したバッファー層を形成する工程と、
前記バッファー層の上に前記下電極層を配向成長させる工程と、
前記バッファー層及び前記下電極層を覆う様に、前記圧電/電歪体膜を配向成長させる工程と、
前記圧電/電歪体膜の、前記バッファー層のパターンに倣って配向成長した部分以外の部分をエッチング処理により除去する工程と、
を有することを特徴とする圧電/電歪体素子構造体の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/08
, H01L 41/18
, H02N 2/00
, B41J 2/16
, B41J 2/045
, B41J 2/055
H01L41/22 Z
, H01L41/08 L
, H01L41/08 J
, H01L41/08 D
, H01L41/18 101Z
, H02N2/00 B
, B41J3/04 103H
, B41J3/04 103A
2C057AF93
, 2C057AG14
, 2C057AG44
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP32
, 2C057AP33
, 2C057AP52
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 2C057BA14
