多結晶半導体薄膜、その形成方法、多結晶半導体TFT、およびTFT基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096457
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065180
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】高性能の多結晶シリコン半導体TFTを形成する。【解決手段】高速ビームアニールの走査方向に沿って結晶粒20が筋状に形成された多結晶シリコン半導体薄膜のストライプであり、走査方向の電界効果移動度νL とストライプの幅方向の電界効果移動度νS がνL ≧1.5・νS 、かつ、νL ≧55cm2 /V・sを満足し、TFTのチャネル方向を走査方向に合わせて設定する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたストライプ状の多結晶半導体薄膜において、ストライプの長手方向における電界効果移動度νL とストライプの幅方向の電界効果移動度νS が、νL ≧1.5・νS を満足することを特徴とする多結晶半導体薄膜。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 616 T , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/12 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269562 出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
特開平4-226040
特開平3-290924

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