積層基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029014
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223667
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】高濃度イオン注入によってSOI層に形成された非晶質領域を、容易に結晶回復化することができる構造の積層基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】SOI層および支持基板の面方位を互いに等しくし、かつ、支持基板のオリエンテーションフラットを、<110>に垂直または平行、SOI層のオリエンテーションフラットを、<100>に垂直または平行にする。【効果】チップ欠けなしに各半導体装置を互いに分離できると共に、数μm幅の非晶質領域を結晶回復化して、シート抵抗を従来に比べて1/2から1/3に低下できる。

請求項（抜粋）：

第一の単結晶半導体からなる支持基板と、当該支持基板上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上に形成された第二の単結晶半導体からなる半導体層を具備し、上記支持基板および半導体層は、結晶面方位が互いに同一で、結晶軸方位が互いに45±4度内の角度だけ回転していることを特徴とする積層基板。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 611

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-263809
張り合わせウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-130258 出願人：日本電信電話株式会社, エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-207736 出願人：富士通株式会社

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