半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068367
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264887
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電流狭窄の効果を維持しつつ、発振電圧特性に優れ、しかも製造が容易で長寿命の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 n型GaAsから成る基板1の上に、順次、n-InGaPから成る厚さ1.5μmの下部クラッド層2、不純物を含まないGaAsとInGaAsから成る単一量子井戸の活性層3、p-InGaPから成る厚さ1.5μmの上部クラッド層4、厚さ0.1μmのn-GaAsからなる電流狭窄層6を形成した後、電流狭窄層6をストライプ状にエッチングして電流通路のため窓を開け、次に厚さ5μmのp-GaAsから成るキャップ層7を再成長させ、さらにp型オーミック電極10を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、キャップ層が形成された半導体レーザ素子において、電流狭窄層が前記上部クラッド層と前記キャップ層の間に設けられたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-189608 出願人：シャープ株式会社
特開平3-296290
半導体レーザの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210542 出願人：ローム株式会社

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