特許
J-GLOBAL ID：200903064279509149
半導体波長変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140764
公開番号（公開出願番号）：特開2000-330150
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 低パワーで動作し、また入射光の波長と比べて短波側にも長波側にも波長を変換することを可能とする半導体波長変換素子を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、多層膜構造に電流を注入する手段(例えば電極8)と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり、活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が100nm以下とされかつ電子の閉じ込め次元が2次元以上であるような量子細線4からなる半導体量子微細構造よりなっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、前記多層膜構造に電流を注入する手段と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり、前記活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が100nm以下とされかつ電子の閉じ込め次元が2次元以上であるような量子細線または量子ドットからなる半導体量子微細構造よりなっていることを特徴とする半導体波長変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F 2/02
, H01S 3/18 677
2K002AB12
, 2K002CA13
, 5F073AA75
, 5F073AB22
, 5F073CA07
, 5F073EA29
