真空成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272077
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096218
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：

【要約】【課題】基板状に形成される薄膜の性状を予測監視することができる真空成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内の成膜材料20が蒸発し、蒸発した成膜材料20により基板13上に薄膜が形成される。真空チャンバ12内の励起された物体から発光される発光光が発光モニタ70により監視され、発光モニタ70からの信号により制御装置76によりプラズマガン11の放電電源14が制御される。

請求項（抜粋）：

被成膜体が配置されるとともに接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型のプラズマ生成装置と、プラズマ生成装置により生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させて成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させて薄膜を形成する永久磁石および収束コイルを用いる制御手段とを備え、真空チャンバ内の励起された物体から生じる発光光の強度を監視する発光モニタを設けたことを特徴とする真空成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/32 , C23C 14/54

FI (2件)：

C23C 14/32 Z , C23C 14/54 B

Fターム (4件)：

4K029CA03 , 4K029DD05 , 4K029EA00 , 4K029EA06

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-103362
特許第2635385号
特開昭62-001868

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