特許

J-GLOBAL ID：200903064322221464

接続孔形成方法

発明者： 丸山 卓也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-051222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244332
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。【解決手段】 拡散層を含む導電層の上に層間絶縁膜と保護膜を下層側からこの順序で堆積する第1の工程S1と、保護膜の上にフォトレジストを塗布しリソグラフィ技術を用いて導電層に接続する接続孔形成部を開口し第1のエッチング条件で層間絶縁膜の一部及び保護膜をエッチングする第2の工程S2と、第2の工程S2の後で酸素を導入し所定の条件でプラズマ処理を行う第3の工程S3と、第2のエッチング条件で残っている層間絶縁膜をエッチングし導電層を露出させる第4の工程S4と、を含み構成する。

請求項（抜粋）：

拡散層を含む導電層の上にこの導電層を被覆する層間絶縁膜が形成された半導体ウェハの全面に前記層間絶縁膜と異なる保護膜を堆積する第1の工程と、前記保護膜の上にフォトレジストを塗布しリソグラフィ技術を用いて前記導電層に接続する接続孔形成部の前記レジストを除去した後、第1のエッチング条件で前記保護膜をエッチングして開口し更に前記層間絶縁膜の途中までエッチングする第2の工程と、この第2の工程の後で酸素を導入し所定の条件でプラズマ処理を行う第3の工程と、第2のエッチング条件で前記層間絶縁膜の残りをエッチングし前記導電層を露出させる第4の工程と、を少なくとも含むことを特徴とする接続孔形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 M

Fターム (31件)：

5F004AA05 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-262122
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066403   出願人：ソニー株式会社
• トレンチの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236217   出願人：ソニー株式会社