セラミック基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182047
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009190
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【目的】セラミック基体の金属回路層と金属リードとの接合の信頼性及び性能、並びに部品組立等における接合位置精度の向上したセラミック基板を提供する。【構成】セラミックよりなる基板本体と、該基板本体上に形成された金属回路層と、該金属回路層に接続する金属リードとを有するセラミック基板であって、前記金属回路層と前記金属リードとが超音波溶接法により接合されている。

請求項（抜粋）：

セラミックよりなる基板本体と、該基板本体上に形成された金属回路層と、該金属回路層に接続する金属リードとを有するセラミック基板であって、前記金属回路層と前記金属リードとが超音波溶接法により接合されてなることを特徴とするセラミック基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 23/48 , H05K 3/32

FI (3件)：

H01L 23/48 Q , H05K 3/32 Z , H01L 23/12 K

Fターム (3件)：

5E319AA03 , 5E319AC04 , 5E319CC01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-360758 出願人：株式会社東芝
特開平4-212277
特開平4-286889

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