特許

J-GLOBAL ID：200903064365103180

半導体装置

発明者： 宮下 勝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298756
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139089
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 金属配線を少なくすることなく全体的なパターンを微細化することができる様にして、高集積化と高速化とを両立させる。【構成】 一方が他方の分路になっている下層側の多結晶Si層22a及び上層側のポリサイド層23aが、多結晶Si層26bを介して互いに電気的に接続されている。このため、多結晶Si層26bとAl層34cとを立体的に配置することができ、Al層34cの本数を少なくすることなく全体的なパターンを微細化することができる。

請求項（抜粋）：

下層側及び上層側の配線の一方が他方の分路になっており、半導体を含有する導電層を介して前記下層側及び上層側の配線が互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-205870
  
• MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316236   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-132856
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-267734   出願人：ソニー株式会社