特許

J-GLOBAL ID：200903064376537599

歪多重量子井戸半導体レーザ

発明者： 上山 智 ,  萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012291
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224516
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 歪多重量子井戸半導体レーザにおいて歪および注入キャリアの井戸間での不均一性を防ぎ、低しきい値のレーザを実現する。【構成】 バリア層12に井戸層11と逆の歪を加え、多重歪量子井戸全体のフリースタンディング格子定数を基板の格子定数と一致させる。【効果】 歪および注入キャリアの井戸間での不均一性が解消されレーザのしきい値電流が大幅に低減できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、前記基板上に第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に歪多重量子井戸構造をもつ活性層と、前記活性層上に第2のクラッド層とを備え、前記活性層の歪多重量子井戸は、井戸層とバリア層が交互に積層した構成であり、かつ、前記井戸層と前記バリア層はそれぞれ逆の歪をもち、前記歪多重量子井戸のフリースタンディング格子定数が前記基板とほぼ一致していることを特徴とする歪多重量子井戸半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-234184
  
• 歪量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060168   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-022185
  
• 特開平3-021093