特許
J-GLOBAL ID：200903064379667868
正温度係数抵抗器と一体化したMOSFET装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 隆夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565567
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522924
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：
【要約】本発明は、スイッチングと過負荷保護機能を提供する正温度係数抵抗器(PTC)と一体化した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)装置に関する。本発明は、PTCとこのPTCと直接物理的に接触したトランジスタからなる新規な装置である。PTCは第1表面と第2表面を有し、これらの表面の少なくとも一つはほぼ平坦である。好ましくは、トランジスタはPTCの第1および第2表面の一つの平坦表面に結合され且つ配置されたMOSFETから構成される。本装置はさらにPTCに結合された絶縁材料と、この絶縁材料に結合された導電パッドと、導電パッドとトランジスタのゲート接合部間に結合された導体を有する。類似の導電パッドと導体構成がトランジスタのソース接合部に設けられる。MOSFETはそのドレイン接合部でPTCの第1および第2表面の一つに接続される。本装置はPTCとトランジスタの少なくとも一部の周囲に形成された非導電封止材料を有する。この一体化されたPTC/MOSFET装置はスイッチングおよび負荷保護機能を提供する。他の実施形態として、PTCを有するマルチトランジスタ構成が記載されている。
請求項（抜粋）：
第1表面と第2表面を有する正温度係数抵抗器(PTC)と、 前記PTCに電気的に結合されたトランジスタであり、導通すると、通過する電流が前記PTCを流れるトランジスタと、からなる負荷をスイッチングし且つ過負荷保護する装置において、 前記PTCは、前記トランジスタの発熱がPTC温度を増加させるように、前記トランジスタのすぐ近くに位置決めされることを特徴とする装置。
IPC (3件)：
H01L 23/58
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/56 D
, H01L 25/04 Z
