特許

J-GLOBAL ID：200903064442872728

微粒子の無電解めっき方法

発明者： 播谷 宏治 ,  原田 孝 ,  西元 一善
出願人/特許権者： 上村工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145833
公開番号（公開出願番号）：特開2002-339077
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【解決手段】 Pd活性処理を行った微粒子を、その表面積がめっき浴に対して15〜250dm2/Lの割合で、金属イオン濃度を0.1〜1.5g/Lとした無電解めっき浴に投入し、めっき液を補給することなく、めっき反応が停止するまで当該無電解めっきを行うことを特徴とする微粒子の無電解めっき方法。【効果】 本発明によれば、めっき浴の自己分解を防ぎながら、正確な膜厚制御のもとに、均一に所望膜厚の無電解めっき皮膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Pd活性処理を行った微粒子を、その表面積がめっき浴に対して15〜250dm2/Lの割合で、金属イオン濃度を0.1〜1.5g/Lとした無電解めっき浴に投入し、めっき液を補給することなく、めっき反応が停止するまで当該無電解めっきを行うことを特徴とする微粒子の無電解めっき方法。

IPC (2件)：

C23C 18/16 ,  C23C 18/28

FI (2件)：

C23C 18/16 A ,  C23C 18/28

Fターム (9件)：

4K022AA13 ,  4K022AA35 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-149651   出願人：大阪市, 松下電器産業株式会社, 上村工業株式会社
• 無電解金めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-306047   出願人：田中貴金属工業株式会社
• 粉末のめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-000690   出願人：三菱マテリアル株式会社