特許
J-GLOBAL ID:200903066288465688

触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-149651
公開番号(公開出願番号):特開2000-336486
出願日: 1999年05月28日
公開日(公表日): 2000年12月05日
要約:
【要約】【解決手段】 銀及びパラジウムからなる金属触媒粒子が無電解めっきすべき非導電部表面に2000核/μm2以上の核密度で付着されてなる基体。【効果】 本発明によれば、非導電性基体上に微細な銀とパラジウムからなる金属触媒粒子を高密度に付与することができる。
請求項(抜粋):
銀及びパラジウムからなる金属触媒粒子が無電解めっきすべき非導電部表面に2000核/μm2以上の核密度で付着されてなる基体。
Fターム (18件):
4K022AA01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA18 ,  4K022AA42 ,  4K022BA04 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA15 ,  4K022BA16 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA18 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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