特許
J-GLOBAL ID：200903064462640220
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261068
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091709
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 注入したキャリアの光への変換効率が高く、光出力が飽和しない半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、p-InPクラッド層104の一部に量子井戸層5を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。これにより、p-InPクラッド層に設けられた量子井戸層5が、キャリア・リサイクル層として機能するので、一度はp-クラッド層にあふれ出した電子をレーザ発振に寄与させることができ、これにより光変換効率が高くなる。
請求項（抜粋）：
歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子において、p-クラッド層が、活性層との間にp-クラッド層の一部として量子井戸層を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (7件)：
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA83
, 5F073CA12
, 5F073EA23
