特許
J-GLOBAL ID：200903064511418244

欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法

発明者：
中垣 亮

中垣 亮 について

, 
本田 敏文

本田 敏文 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081507
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269489
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 半導体ウェハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集かつ自動分類する欠陥観察装置において、その高性能分類機能と高スループットな画像収集機能の両立を実現する。 【解決手段】 欠陥が存在する部位の良品状態(参照画像)を、欠陥画像を用いて推定する機能と、該推定結果を用いて欠陥の致命性や凹凸状態などを判定する機能を画像処理部(欠陥分類装置部)に設けることで、参照画像の取得を行わない高スループットな画像収集シーケンスと高精度の欠陥分類とを両立させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
試料上の各欠陥を撮像して欠陥画像を取得する画像取得手段を備えた欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法において、 前記画像取得手段で取得された少なくとも欠陥画像を用いて各欠陥が存在する欠陥部位の良品状態を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態推定算出ステップと、 該良品状態推定算出ステップで算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の分類を行う欠陥分類ステップと を含む画像処理ステップを有することを特徴とする欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  H01J 37/22
FI (2件)：
H01L21/66 J ,  H01J37/22 502H
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM