特許

J-GLOBAL ID：200903064592131181

気相成長装置

発明者： 山本 圭則
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012602
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 排気口近傍の石英製の外管に反応生成物が集中的に析出し、加熱冷却時の熱応力による破損するのを防止する。【解決手段】 ウエーハ11を保持したボート12を収容し上部14cに開口を有する内管15と、この内管15を収容する有天井の外管16と、内管15内にガスを供給するガス流入口14bと、内管15内のガスを内管15の上部から内管15と外管16との間を介して排気する排気口14dとを有する気相成長装置において、内管15と外管16との間から排気口14dへのガスの流れを分散させる流量調整板17を配設したことを特徴とする気相成長装置。

請求項（抜粋）：

ウエーハを保持したボートを収容し上部に開口を有する内管と、この内管を収容する有天井の外管と、前記内管内にガスを供給するガス流入口と、前記内管内のガスを前記内管の上部から前記内管と前記外管との間を介して排気する排気口とを有する気相成長装置において、前記内管と前記外管間のガスの流れを分散させる流量調整板を配設したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 J ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-002206   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• 縦型減圧CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287891   出願人：日本電気株式会社