半導体素子の製造方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：河備健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348736
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151507
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の製造工程における酸化膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質の酸化膜を製造する方法及びその装置の提供。【解決手段】プラズマCVD法による半導体素子における酸化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、乾燥空気からなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法による半導体素子における酸化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材の接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、乾燥空気からなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 21/31 C

Fターム (58件)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030KA30 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC18 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF08 , 5F045CB04 , 5F045CB05 , 5F045DP22 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EF02 , 5F045EF05 , 5F045EF10 , 5F045EF20 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F058BB01 , 5F058BB02 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-235283
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-268000 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-358076

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