特許
J-GLOBAL ID：200903064654258124

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
太田 順道

太田 順道 について

, 
井上 薫

井上 薫 について

, 
田邊 充

田邊 充 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143919
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102509
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 低いドレイン抵抗と高いゲート・ドレイン間耐圧との両立を図った電界効果型トランジスタを歩留まり良く得られるようにする。【解決手段】 GaAsよりなる半絶縁性基板1の上にはSiが不純物としてドープされたn型GaAsよりなるチャネル層2が形成されている。チャネル層2の上には該チャネル層2とショットキ接触しているAl等よりなるゲート電極5が形成され、チャネル層2の上におけるゲート電極5の両側には、不純物がドープされたn型Inx Ga1-x Asよりなるドレイン側電界緩和層10A及びソース側電界緩和層10Bが形成されている。ドレイン側及びソース側の電界緩和層10A,10Bは、その側縁部に該側縁部を流れる電流により実質的に電位差を生じさせる。ドレイン側及びソース側の電界緩和層10A,10Bの上には、WSiよりなるドレイン電極6A及びソース電極7が形成されている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の上に形成されたゲート電極と、前記チャネル層の上における前記ゲート電極の両側方に形成されており、ゲート電極側の側縁部の両端に、該側縁部を流れる電流により実質的に電位差を生じさせる電界緩和層と、前記電界緩和層の上に形成されたドレイン電極及びソース電極とを備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778
FI (2件)：
H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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