特許
J-GLOBAL ID:200903064654486623
エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法並びに電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-344803
公開番号(公開出願番号):特開2004-200146
出願日: 2003年10月02日
公開日(公表日): 2004年07月15日
要約:
【課題】 本発明は、トップエミッション構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の透明陰極電極技術に関し、金属酸化物を成膜する際に下地膜の酸化を防止できるようにした、トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法並びにこの表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】 基板2上に、第1の電極111と、発光層110bを含む機能層110と、金属酸化物からなる透明な第2の電極12とが下層側から順に積層する。この際、第2の電極12の酸素濃度を膜厚方向で変化させ、第2の電極12と機能層110との界面付近の酸素濃度が、第2の電極12における平均の酸素濃度よりも低くなるようにする。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
基板上に、第1の電極と、発光層を含む機能層と、金属酸化物からなる透明な第2の電極とが下層側から順に積層されてなり、
上記第2の電極の酸素濃度は膜厚方向で変化しており、上記第2の電極と上記機能層との界面付近の酸素濃度は、上記第2の電極における平均の酸素濃度よりも低いことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (5件):
H05B33/28
, C23C14/08
, C23C14/34
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (6件):
H05B33/28
, C23C14/08
, C23C14/34 U
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
Fターム (22件):
3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BC08
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029EA03
, 4K029EA04
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
引用特許:
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