特許
J-GLOBAL ID：200903064669414289

高電子移動度トランジスタ

発明者：
太田 裕朗

太田 裕朗 について

, 
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159395
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311533
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】簡単な方法でノーマリーオフを実現させた高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】GaN系単結晶基板1の上にGaN系半導体層2が積層される。GaN系単結晶基板1は電子走行層を構成し、GaN系半導体層2は電子供給層を構成する。GaN系単結晶基板1の成長主面はm面となっており、GaN系単結晶基板1上に形成されたGaN系半導体層2の成長主面もm面となる。このような層構造にすれば、m面は非極性面であるため、ピエゾ電界が発生しないので、ゲート電圧が印加されない場合における2次元電子ガス層の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN系基板上にGaN系半導体層が積層された高電子移動度トランジスタであって、 前記GaN系半導体層の成長主面はm面であることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/04
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/04
Fターム (20件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA67 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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