窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-172220
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004720
出願日： 2006年06月22日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】実用的な動作電流が得られるエンハンスメント型の窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを実現させること。【解決手段】六方晶構造の窒化物半導体であるチャネル層半導体1のc面に段差を設けて2面とし、段差側面としてa面あるいはm面を形成し、2面のc面上、および、a面上あるいはm面上に、障壁層半導体2とチャネル層半導体1との接合構造である障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造を形成し、2面のc面上に形成された障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造の一方の上にソース電極3を形成し、他方の上にドレイン電極5を形成し、段差側面に形成された障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造をゲート電極4によって覆ってなる、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、六方晶構造のチャネル層半導体がc軸方向に段差を有する2面のc面を有し、前記2面のc面上および前記段差の段差側面上に障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造が形成され、前記2面のc面上に形成された障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造の一方の上にソース電極が形成され、他方の上にドレイン電極が形成され、前記段差側面上に形成された障壁層半導体/チャネル層半導体ヘテロ構造の上にゲート電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/78 301B

Fターム (34件)：

5F102FA01 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR11 , 5F102GS06 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB03 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BF44

引用特許：

審査官引用 (8件)

パワー半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-275628 出願人：インターナショナルレクティファイアーコーポレイション
半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-149000 出願人：シャープ株式会社
4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-095658 出願人：松下電器産業株式会社, 小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之

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