特許
J-GLOBAL ID：200903064687088275
半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308979
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150212
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】キャリア濃度の制御が容易で、太陽電池の光吸収層として用いた場合に高いエネルギー変換効率を示すカルコパイライト構造半導体薄膜を製造するのに好適な半導体薄膜形成用前駆体ならびに半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基体上にIb族とVb族元素を含む薄膜(例えば、Cu-P)またはIIIb族とVb族元素を含む薄膜(例えば、In-P)を堆積し、その上にIb族とIIIb族元素を含む薄膜(例えば、CuとInの積層膜またはCu-In-Oの酸化物薄膜またはCu-In-Seの薄膜)を堆積し、VIb族元素を含む雰囲気中(例えば、H2SeやH2Sを含むガス)で熱処理することによりドーパントとなるVb族元素を添加したIb族、IIIb族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜(例えば、CuInSe2:PまたはCuInS2:P等)を製造する。
請求項（抜粋）：
主成分となるIb族及びIIIb族元素と、ドーパントとなるVb族元素からなる薄膜で構成された半導体薄膜形成用前駆体。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 31/04 E
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
