太陽電池及びその作製方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363714
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185745
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】電子機器の回路基板と裏面電極との接続部における安定性及び、静電気破壊に係わる信頼性を向上させた太陽電池及びその作製方法を提供する。【解決手段】裏面電極を、カーボンを主成分とする材料で形成する。裏面電極の形成には、熱硬化型導電性カーボンペーストを用い印刷法により形成する。また透明電極層と裏面電極層との抵抗値を同レベルなものとしてバランスをとることにより、静電破壊に対する耐性を飛躍的に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

透光性を有する基板上に、透明電極層と、光電変換層と、裏面電極層とを有する太陽電池において、前記裏面電極層は、微粒子カーボンブラック、グラファイト化カーボンブラックを、全てかまたはその一部にITO、SnO2、ZnO、Ag、Cu、Ni、Mo等の導電性微粒子を含有したものを主成分とし、これとバインダー樹脂、溶剤、インキ添加剤よりなるペーストを乾燥、硬化して得られた導電性塗膜を含有するカーボン電極であることを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 M , H01L 31/04 P

Fターム (8件)：

5F051AA04 , 5F051BA11 , 5F051FA02 , 5F051FA10 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051FA24 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜太陽電池およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-360116 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の電極材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054392 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開平2-256280

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