特許
J-GLOBAL ID:200903064701144027

誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-022431
公開番号(公開出願番号):特開2002-226263
出願日: 2001年01月30日
公開日(公表日): 2002年08月14日
要約:
【要約】【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつDCバイアス特性が良好で、しかも比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器、およびこの誘電体磁器を用いた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属成分として少なくともBa、TiおよびZrを含有する平均粒径0.3〜1μmのペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、MgO、Y2O3、Er2O3およびYb2O3のうち少なくとも1種からなる粒成長抑制粒子が存在するものである。ペロブスカイト型結晶粒子が、モル比による組成式Ba(Ti1-xZrx)O3(xは0.05〜0.3)で表されることが望ましい。
請求項(抜粋):
金属成分として少なくともBa、TiおよびZrを含有する平均粒径0.3〜1μmのペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、MgO、Y2O3、Er2O3およびYb2O3のうち少なくとも1種からなる粒成長抑制粒子が存在することを特徴とする誘電体磁器。
IPC (4件):
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
FI (4件):
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
Fターム (33件):
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CA03 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB43 ,  5G303CC04
引用特許:
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る