特許
J-GLOBAL ID：200903064703169094

半導体パッケージおよびその製造方法

発明者：
小山 利徳

小山 利徳 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309452
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124398
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】従来の限界を超えて配線を微細化した半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】樹脂から成る絶縁層16と導体めっき層から成る配線層18とを積層したビルドアップ配線構造20、導体張り付け樹脂テープ32上の張り付け導体箔34’のパターニングにより形成され上記ビルドアップ配線構造20の配線18よりも微細な配線層34を含む微細配線構造30、および熱可塑性樹脂から成り、上記のビルドアップ配線構造20と微細配線構造30との間に介在してこれらを接合する接合層25を含む半導体パッケージ100。その製造は、任意の方法でビルドアップ配線構造20を作製し、別個に、サブトラクティブ法により微細配線構造30を作製し、両構造20、30を接合層25で接合することによって行なう。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
樹脂から成る絶縁層と導体めっき層から成る配線層とを積層したビルドアップ配線構造、 導体張り付け樹脂テープ上の張り付け導体箔のパターニングにより形成され上記ビルドアップ配線構造の配線よりも微細な配線層を含む微細配線構造、および 熱可塑性樹脂から成り、上記のビルドアップ配線構造と微細配線構造との間に介在してこれらを接合する接合層、 を含む半導体パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (2件)：
H01L23/12 N ,  H05K3/46 G
Fターム (18件)：
5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA16 ,  5E346AA22 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE12 ,  5E346EE31 ,  5E346FF24 ,  5E346FF36 ,  5E346GG28 ,  5E346HH26
引用特許：
出願人引用 (2件)

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