半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175560
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004238
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの構造パラメータの変動に対するデバイス特性の変化を最小限に抑え、レーザ光の水平方向における放射角を精密に制御する。【解決手段】 p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4の最上層部、p型Al0.3 Ga0.7 As光導波層5およびp型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層6のストライプ部の両側にn型Al0.5 Ga0.5 As電流狭窄層7を設け、n型Al0.5 Ga0.5 As電流狭窄層7およびp型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層6上に、p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層8、p型Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層9およびp型GaAsコンタクト層10を順次積層する。p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4,6,8およびn型Al0.5 Ga0.5 As電流狭窄層7に対して、屈折率の高いp型Al0.3 Ga0.7 As光導波層5および屈折率の低いp型Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層9により、pn接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、二つの等価複素屈折率段差を設ける。

請求項（抜粋）：

pn接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有し、上記等価複素屈折率段差のうち、上記発光中心から見て最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じることができる距離以上互いに離れていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-085785
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-003912 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106507 出願人：シャープ株式会社

全件表示

前のページに戻る