半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292988
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153704
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【構成】半導体装置の製造方法であって、段差部を有する絶縁層2上に設けられた導電膜3および有機反射防止膜4のエッチングプロセスに窒素ガスプラズマ、窒素と酸素の混合ガスプラズマ、炭酸ガスプラズマを用いた。また導電膜3および反射防止膜4を同時にエッチングする目的で、塩素とフッ素系の混合ガスプラズマを用いた。【効果】有機反射防止膜および導電膜のパターン加工精度がよくなる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、基板上に段差部を有する絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、上記導電膜上に有機反射防止膜を形成する工程と、上記有機反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、上記フォトレジストパターンをマスクとして、上記有機反射防止膜を窒素ガスプラズマでエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/30 574 , H01L 27/10 681 A

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-254327
特開昭62-065425
酸化防止方法およびドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-042136 出願人：ソニー株式会社

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