特許
J-GLOBAL ID：200903064716211790

半導体バッファ能力調整方法、半導体バッファ能力調整システム、及び半導体装置

発明者：
蜂谷 尚悟

蜂谷 尚悟 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205150
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023349
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のバッファ能力を適度にし、信号波形の品質を向上させる。【解決手段】 メモリモジュール2には、半導体メモリ1a〜1dの各々の特性のばらつきを数値などで表現した特性ばらつき情報を記憶したROM5が実装される。特性ばらつき情報は、半導体装置の製造段階で測定されたデータである。BIOS3は、起動された際にROM5に記憶されている特性ばらつき情報を読み込み、その特性ばらつき情報に基づいて、各半導体メモリのバッファ能力の最適値を求め、各半導体メモリのバッファ能力を適度に調整するための設定処理をローカルバスを通じてメモリコントローラ4に対して行う。メモリコントローラ4は、BIOS3によって設定された内容に従い、各半導体メモリのバッファ能力を適度にする信号強度の信号をメモリモジュール2に供給する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の固有の電気的特性を示す特性情報を記憶した記憶部を具備し、その記憶部に記憶されている前記特性情報に基づいて、半導体装置のバッファ能力を調整可能としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H03K 19/0175 ,  G11C 11/417 ,  G11C 16/02 ,  G11C 17/00
FI (4件)：
G11C 17/00 D ,  H03K 19/00 101 F ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 11/34 305
Fターム (16件)：
5B003AA10 ,  5B003AC01 ,  5B003AC07 ,  5B003AD02 ,  5B003AE05 ,  5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015KB91 ,  5B015PP07 ,  5B015QQ16 ,  5B025AD00 ,  5B025AE09 ,  5J056AA05 ,  5J056BB38 ,  5J056BB60 ,  5J056DD00
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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