特許
J-GLOBAL ID：200903064761237806

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
近藤 雄

近藤 雄 について

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斉藤 雅之

斉藤 雅之 について

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栂嵜 隆

栂嵜 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037143
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、熱ストレスに強いフェイスダウン方式の半導体装置を提供することを目的とする。また本発明は、信頼性が高くかつ接続密度の向上が可能な突起電極を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明の第1では、回路基板2上に半導体チップ1をフェイスダウン接続するに際し、枠状の構造体3を設け、これを回路基板と半導体チップの双方と機械的に接続するようにしている。本発明の第2ではこの枠状の構造体を半田で構成し、チップの能動領域およびバンプ接続部の周囲外側にバンプと同一のプロセスによって設けられ、リフロー時にバンプと同時に回路基板に接合される。また本発明の第3では、半導体チップ上に形成された第1の柱状金属層と、前記第1の柱状金属層上に形成され、少なくとも第1の柱状金属層よりも、厚さが薄く、軟化温度が低く、室温での降伏応力が大きい第2の金属層とから突起電極が構成される。
請求項（抜粋）：
回路基板とこの回路基板上にフェイスダウン接続された半導体チップと前記回路基板と前記半導体チップの間に介在せしめられた枠状の構造体とを具備し、前記枠状の構造体は前記回路基板と半導体チップの双方と機械的に接続していることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (22件)
  • 特開昭51-147255
  • 特開平4-094544
  • 特開昭62-234352
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