特許
J-GLOBAL ID:200903064765645429
シード成長によるバルク単結晶の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 石井 久夫
, 田村 啓
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-525083
公開番号(公開出願番号):特表2008-521737
出願日: 2005年11月28日
公開日(公表日): 2008年06月26日
要約:
本発明は、アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び/又は圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法に関し、2以上のエレメンタリーシードを備える工程と、2以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程とを含む。組み合わせた、より大きな合成シードは、新しい成長工程のシードに用い、そして、ガリウム含有窒化物の単結晶のより大きな基板を得るために用いる。
請求項(抜粋):
アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び/又は結晶化圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法であって、
2以上のエレメンタリーシードを用意する工程と、
2以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (22件):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB03
, 4G077AB08
, 4G077BE15
, 4G077CB04
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EE02
, 4G077EE10
, 4G077EG11
, 4G077FG13
, 4G077FG16
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077KA03
, 4G077KA06
, 4G077KA07
, 4G077KA13
, 4G077KA15
引用特許:
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