特許
J-GLOBAL ID：200903028053451141
窒化物半導体、半導体素子およびこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141170
公開番号（公開出願番号）：特開2004-262757
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 表面に広い低欠陥領域を有する半導体素子、横方向成長技術を用いた層形成工程において簡便に表面欠陥を低減することができる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板100の上に種結晶層201を成長させた後、この種結晶層201上に成長抑止層216を形成する。種結晶層201の開口より表出する部分が種結晶部215となる。種結晶部215を基礎としてGaN:Siを成長させ、第2の種結晶部217aを形成する。成長温度は1000°C以下とする。次に、第2の種結晶部217aを基礎として高温成長部217bを成長させる。成長温度は1050°C以上であり、主として横方向に結晶成長が進行して連続した1つの層が形成される。第2の種結晶部217aの直上には殆ど転位や結晶欠陥が存在せず、窒化物半導体層217は表面の低欠陥領域が広くなる。【選択図】 図13
請求項（抜粋）：
III-V族系窒化物半導体よりなる層状の第1の種結晶部と、
前記第1の種結晶部の表面に形成された複数の開口部を有する成長抑止層と、
III-V族系窒化物半導体よりなり、前記第1の種結晶部から前記成長抑止層の開口部を介して成長した層厚み方向の断面が三角形状または台形状であり、かつ互いに離間した複数の第2の種結晶部と、
III-V族系窒化物半導体よりなり、前記複数の第2の種結晶部を基礎として主として前記第2の種結晶部の両側面から成長し、前記複数の第2の種結晶部間を埋め込むと共に、前記第2の種結晶部とほぼ同じ厚みを有する半導体層と
を備え、結晶中の転位が前記第2の種結晶部と前記半導体層との界面で屈曲している
ことを特徴とする窒化物半導体。
IPC (3件)：
C30B29/40
, C30B25/04
, H01S5/343
C30B29/40 D
, C30B25/04
, H01S5/343 610
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EE07
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 5F173AA08
, 5F173AC54
, 5F173AH22
, 5F173AP05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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引用文献：
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