半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090973
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283465
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】サリサイドプロセスによる、低抵抗のシリサイド層8が形成された不純物拡散層領域へ臨むセルフアラインコンタクトを開口する際の、エッチング突き抜けによる素子不良を防止する。【解決手段】サリサイドプロセスにおける熱処理条件の選択により、サイドウォールスペーサ6やLOCOS7へのシリサイド層の這い上がり部8aの長さを適正化する。この這い上がり部8aをセルフアラインコンタクト開口時のエッチングストッパとする。【効果】シリサイド層の這い上がり部8aがエッチングストッパとして機能するので、セルフアラインコンタクト開口用のレジストマスク11の位置合わせずれが発生した場合においても、突き抜けを効果的に防止する。したがって、絶縁耐圧の劣化や接合リーク電流の増大を防止した、信頼性の高い高集積度半導体装置およびその製造方法を提供することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の側面および前記ゲート電極上のオフセット絶縁膜の側面に形成されたサイドウォールスペーサと、前記サイドウォールスペーサおよびLOCOSのうちの少なくとも何れか一方により端縁を区画された不純物拡散層領域に、自己整合的に形成されたシリサイド層と、少なくとも前記サイドウォールスペーサおよび前記LOCOSのうちの少なくとも何れか一方上に延在する前記シリサイド層の這い上がり部と、全面に形成された層間絶縁膜と、前記シリサイド層および前記シリサイド層の這い上がり部の少なくとも何れか一方をエッチングストッパとし、前記シリサイド層に臨んで前記層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/302 J , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-299377
特開平4-209544
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180642 出願人：日本電気株式会社

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