半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148571
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】デバイス動作速度の低下を招くことなく、集積度向上を図ることのできる半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】シリコン基体20の上にゲート酸化膜21、ゲート電極22、オフセット酸化膜23からなるゲート部24を形成し、ゲート部24の側壁部にサイドウォールスペーサ26を形成し、シリコン基体20に不純物拡散層を形成し、ゲート部24及びサイドウォールスペーサ26を覆って層間絶縁膜28を形成し、層間絶縁膜28に、サイドウォールスペーサ26に接してあるいはその近傍に、不純物拡散層に到達するコンタクトホール30をエッチングで形成する。層間絶縁膜28を形成するに先立ち、不純物拡散層あるいはその形成予定領域とサイドウォールスペーサ26の下側とを連続して覆った状態に、コンタクトホール30形成のためのエッチングに対するエッチングストッパとなる導電膜27を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基体の上にゲート酸化膜、ゲート電極、オフセット酸化膜からなるゲート部を形成する工程と、前記ゲート部の側壁部にサイドウォールスペーサを形成する工程と、シリコン基体表層部に不純物拡散層を形成する工程と、前記ゲート部およびサイドウォールスペーサを覆ってシリコン基体上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、前記サイドウォールスペーサに接してあるいはこれの近傍に位置するようにして、前記不純物拡散層に到達するコンタクトホールをエッチングにより形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成するに先立ち、前記不純物拡散層あるいはその形成予定領域とサイドウォールスペーサの少なくとも下側とを連続して覆った状態に、前記コンタクトホール形成のためのエッチングに対するエッチングストッパとなる導電膜を形成する工程を有したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/28 301 S , H01L 29/46 S , H01L 29/78 301 G

引用特許：

出願人引用 (10件)

サリサイドの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-025781 出願人：ソニー株式会社
特開平3-268436
特開昭63-299377

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審査官引用 (18件)

サリサイドの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-025781 出願人：ソニー株式会社
特開平3-268436
特開平3-268436

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