特許
J-GLOBAL ID：200903064789214542

表示装置とその製造方法

発明者：
山路 敏文

山路 敏文 について

, 
小田 信彦

小田 信彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266681
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109406
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 透明電極のITO膜ををソース領域に直接コンタクトさせることにより、コンタクト抵抗を減じ構成を簡素化した表示装置を得る。【解決手段】 絶縁基板21上にゲート電極22、窒化シリコン膜23、酸化シリコン膜24、およびシリコン膜25を形成する。シリコン膜25上に酸化シリコン膜27,窒化シリコン膜28を形成し、これらを貫通する第1と第2のコンタクト孔29a、29bを形成する。第1のコンタクト孔29aを介してドレイン領域25dにコンタクトする電極30を配置する。全体を平坦化膜31で被覆し、平坦化膜31の第2のコンタクト孔29bに対応する箇所に第3のコンタクト孔32を形成し、第3のコンタクト孔32を介してソース領域25sに直接コンタクトする透明電極33を配置する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜とゲート電極とを配置し、前記半導体膜にソース・ドレイン領域及びチャネル領域を形成した薄膜トランジスタと、前記ソース・ドレイン領域を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通する第1と第2のコンタクト孔と、前記第1のコンタクト孔を介して前記ソース・ドレイン領域の一方にコンタクトする電極と、前記絶縁膜及び前記電極を被覆する平坦化膜と、前記平坦化膜に形成した第3のコンタクト孔と、前記平坦化膜の上に配置され、前記第3のコンタクト孔を介して前記ソース・ドレイン領域の他方の半導体膜の表面に直接コンタクトする透明電極と、を具備することを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/90 B ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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