特許

J-GLOBAL ID：200903064802685797

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 高谷 邦啓 ,  花岡 大介 ,  石田 真也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 大前 要 ,  板東 義文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346520
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159806
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】 半導体発光装置において、動作電圧の上昇による不良を抑制し、良品率を高めて生産歩留まりを向上させることを主要な目的とする。【解決手段】 窒化物半導体装置は、ステム40を備える。ステム40にヒートシンク20が設置されている。ヒートシンク20に、少なくとも1個の、レーザ光を出射する窒化物半導体レーザ素子10が接合されている。ステム40に、窒化物半導体レーザ素子10からの光の強度を観察するための光検出素子30が設置されている。ステム40に、ヒートシンク20、窒化物半導体レーザ素子10および光検出素子30をその内部に密封するためのキャップ50が接合されている。キャップ50内部の空間には、封入雰囲気80が封止されている。封入雰囲気80には、窒化物半導体レーザ素子10中に含まれる水素の拡散を抑制する成分が含有されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ステムと、 前記ステムに設置されたヒートシンクと、 前記ヒートシンクに接合されたと、少なくとも1個の半導体発光素子と、 前記ステムに設置され、前記半導体発光素子からの光を検出するための光検出素子と、 前記ステムに接合され、前記ヒートシンク、前記半導体発光素子および前記光検出素子をその内部に密封するためのキャップとを備え、 前記キャップ内部の雰囲気には、前記半導体発光素子中に含まれる水素の拡散を抑制する成分が含まれていることを特徴とする、半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/223

FI (2件)：

H01S5/022 ,  H01S5/223

Fターム (11件)：

5F173AA05 ,  5F173AH22 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173MA05 ,  5F173MB01 ,  5F173MC30 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173ME41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ光源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119604   出願人：日立工機株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-255356   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-281831   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-173488   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-159589   出願人：ローム株式会社