CPP型磁気抵抗効果素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-276690
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164579
出願日： 2008年10月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】磁性層の軟磁気特性を確保しつつ、高い磁気抵抗変化率を実現する【解決手段】磁気抵抗効果素子は、一対の磁性層7,9であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層7,9と、一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層8と、を有し、センス電流22が一対の磁性層およびスペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。スペーサ層8は、結晶質酸化物を含み、一対の磁性層7,9のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつCoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一対の磁性層であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層と、前記一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層と、を有し、センス電流が前記一対の磁性層および前記スペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされ、前記スペーサ層は、結晶質酸化物を含み、前記一対の磁性層のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつ該CoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している、磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , G11B 5/39 , H01F 10/16

FI (5件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , G11B5/39 , H01F10/16

Fターム (35件)：

5D034BA03 , 5D034BA06 , 5D034BA15 , 5D034CA06 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA16 , 5F092AA02 , 5F092AB03 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB03 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB66 , 5F092BB81 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BE24 , 5F092BE27

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許出願公開第2006/0012926号明細書
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-190511 出願人：株式会社東芝
米国特許第7,035,062号明細書

審査官引用 (2件)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-190511 出願人：株式会社東芝
磁気素子のスピンバルブ構造およびCCP-GMRスピンバルブ構造、ならびに磁気再生ヘッドにおけるスピンバルブ構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-124797 出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

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