特許
J-GLOBAL ID:200903096184166758
磁気素子のスピンバルブ構造およびCCP-GMRスピンバルブ構造、ならびに磁気再生ヘッドにおけるスピンバルブ構造の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-124797
公開番号(公開出願番号):特開2008-283194
出願日: 2008年05月12日
公開日(公表日): 2008年11月20日
要約:
【課題】 高いMR比を確保しつつ、許容し得る均一性と良好なEM性能とが得られるスピンバルブ構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】基体10の上に、シード層11、AFM層12、ピンド層20、複合スペーサ層21、フリー層22およびキャップ層23を順次成膜し、CPP-GMRスピンバルブ構造を形成する。ピンド層20は、AP2層/結合層/AP1層というSyAP構造とする。AP2層は、鉄リッチ合金よりなる中間層をCoFeからなる上層および下層によって上下から挟み込むFCC三層構造とする。複合スペーサ層21は、1層以上の金属層(M層)と、1層以上の半導体または半金属層(S層)とを含み、M/S、S/M、M/S/M、S/M/S、M/S/M/S/M、または(M/S/M)n という積層構造を有する。例えば、M層はCu層、S層はZnO層である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
鉄リッチな合金よりなる中間層をコバルト鉄(CoFe)からなる上層および下層によって上下から挟み込むように構成されたFCC(面心立方格子)三層構造を有する反平行層(AP2層)と、結合層と、他の反平行層(AP1層)とを順次積層してなる構造(AP2層/結合層/AP1層)を有するピンド層と、
フリー層と、
前記ピンド層と前記フリー層との間に、1層以上の金属層(M層)と1層以上の半導体または半金属層(S層)とを含むように形成された複合スペーサと
を備えたことを特徴とする磁気素子のスピンバルブ構造。
IPC (4件):
H01L 43/08
, H01L 43/12
, H01L 43/10
, G11B 5/39
FI (4件):
H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L43/10
, G11B5/39
Fターム (36件):
5D034BA04
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5F092AA02
, 5F092AA06
, 5F092AB03
, 5F092AC08
, 5F092AD03
, 5F092BB03
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB31
, 5F092BB32
, 5F092BB34
, 5F092BB36
, 5F092BB38
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC14
, 5F092BC18
, 5F092BC19
, 5F092BC22
, 5F092BE13
, 5F092BE24
, 5F092CA02
, 5F092CA14
, 5F092CA15
, 5F092CA23
, 5F092CA25
引用特許:
出願人引用 (8件)
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米国特許第5,627,704号
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米国特許第5,668,688号
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米国特許第5,715,121号
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米国特許出願第2006/0209472号
-
米国特許第7,116,529号
-
米国特許第6,876,523号
-
米国特許第6,917,088号
-
米国特許出願第2006/0060901号
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審査官引用 (5件)
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