特許
J-GLOBAL ID：200903064827674161

極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法

発明者：
松尾 正

松尾 正 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074000
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268255
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】基板1上に、露光光の高反射部となる多層膜2が形成され、前記多層膜上に露光光の低反射部となる吸収膜5が形成された極限紫外線露光用マスクブランクにおいて、露光光に対するOD値が吸収膜5膜厚による影響をうけにくいよう、吸収膜材料を規定した、EUV露光用マスクブランク及びそれを用いたマスク並びに転写方法を提供する。【解決手段】前記吸収膜5は、膜厚とコントラストの特性から、前記吸収膜5の露光光に対する反射率が極小値付近となるよう、前記吸収膜5の膜厚が設定されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、露光光の高反射部となる多層膜が形成され、前記多層膜上に露光光の低反射部となる吸収膜が形成された極限紫外線露光用マスクブランクにおいて、前記吸収膜は、膜厚とコントラストの特性から、前記吸収膜の露光光に対する反射率が極小値付近となるよう、前記吸収膜の膜厚が設定されていることを特徴とする極限紫外線露光用マスクブランク。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F1/16
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (5件)：
2H095BA10 ,  2H095BC04 ,  2H095BC05 ,  5F046GD01 ,  5F046GD10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 反射型フォトマスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-314292   出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
審査官引用 (4件)
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