特許
J-GLOBAL ID：200903064829157334
受発光ダイオードアレイチップおよび該チップを用いた受発光ダイオードアレイ、該チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086939
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283795
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 第1導電型の下地11と、下地11に所定ピッチで形成された多数の第2導電型の不純物拡散領域15と、これら不純物拡散領域に個別に接続されている個別電極17の群とを具える受発光ダイオードアレイチップにおいて、より高解像度とした際も不純物拡散領域と個別電極との接触抵抗が低いチップを提供する。【解決手段】 各不純物拡散領域15を受発光部として使用される第1の領域であって前記ピッチで配列されている第1の領域15a と、主として個別電極17との接続部として使用される第2の領域であって第1の領域15a に対し連続していてかつ個別電極17と希望する接触抵抗が得られる面積を少なくとも有した第2の領域15b とで構成する。しかも奇数番目、偶数番目の各不純物拡散領域の第2の領域を、配列ラインLにより区分けされる前記下地の一方側の領域11a と他方側の領域に別々に位置させてある。
請求項（抜粋）：
第1導電型の化合物半導体から成る下地と、要求される解像度に応じたピッチで前記下地に形成された多数の第2導電型の不純物拡散領域と、これら不純物拡散領域に個別に接続されている個別電極の群とを具える受発光ダイオードアレイチップにおいて、それぞれの不純物拡散領域を、受発光部として使用される第1の領域であって、他の不純物拡散領域の第1の領域との関係では前記ピッチで配列されている第1の領域と、主として前記個別電極との接続部として使用される第2の領域であって、前記第1の領域に対し前記配列方向と直交する方向で連続していてかつ前記個別電極と所望の接触ができる面積を少なくとも有した第2の領域とで構成してあり、しかも、これら不純物拡散領域のうちの奇数番目の不純物拡散領域それぞれの前記第2の領域は前記第1の領域の配列ラインにより区分けされる前記下地の一方側の領域に位置するように、かつ、偶数番目の不純物拡散領域それぞれの前記第2の領域は前記配列ラインにより区分けされる前記下地の他方側の領域に位置するように、これら不純物拡散領域を配置してあることを特徴とする受発光ダイオードアレイチップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 31/10 A
