特許
J-GLOBAL ID：200903064835979834

電気化学的堆積を使用したサブミクロン金属被覆

発明者：
チエン,リンリン

チエン,リンリン について

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グラハム,リンドン・ダブリユー

グラハム,リンドン・ダブリユー について

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リツツドルフ,トーマス・エル

リツツドルフ,トーマス・エル について

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フアルトン,ダキン

フアルトン,ダキン について


出願人/特許権者：
セミトウール・インコーポレーテツド

セミトウール・インコーポレーテツド について


代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-574753
公開番号（公開出願番号）：特表2002-526663
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：
【要約】超小型電子回路加工物の表面に金属を微小凹所構造に堆積させる方法が明らかにされる。この方法は、添加剤なし及び添加剤含有の電気メッキ液に関連しての使用に適している。一実施例により、本方法は、超小型電子回路加工物の表面により形成された陰極及び電気メッキ液と電気的接触状態に配置された陽極を備えた電気メッキ容器内において超小型電子回路加工物の表面と電気メッキ液との間を接触させることを含む。次に、第1の電流密度を有する第1の電気メッキ波形を少なくも使用して金属の最初の薄膜が微小凹所構造内に堆積される。微小凹所構造の底部における金属の堆積の強化のために、第1の電気メッキ波形の第1の電流密度が提供される。この最初のメッキの後で、第2の電流密度を有する第2の電気メッキ波形を少なくも使用して金属の堆積が続けられる。第2の電気メッキ波形の第2の電流密度が提供される。微小凹所構造の充填を実質的に完了させるため要する時間の短縮を支援するために第2の電気メッキ波形の第2の電流密度が提供される。
請求項（抜粋）：
金属を超小型電子回路加工物の表面の微小凹所構造内に堆積させる方法であって、 超小型電子回路加工物の表面と電気メッキ容器内の電気メッキ液とを接触させ、電気メッキ容器は超小型電子回路加工物の表面により形成された陰極及び電気メッキ液と電気的接触して配置された陽極を有しており、 第1の予定時間だけ第1の電流密度を有する第1の電気メッキ波形を少なくも使用して金属の初期薄膜を微小凹所構造内に堆積させ、第1の電気メッキ波形の第1の電流密度が微小凹所構造の底部における金属の堆積強化を支援し、 第2の電流密度を有する第2の電気メッキ波形を少なくも使用して第1の予定時間の後に少なくもある時間で開始した金属の堆積を継続し、第2の電気メッキ波形の第2の電流密度が微小凹所構造の実質的な完全充填に要する時間の短縮を助ける諸段階を含む方法。
IPC (5件)：
C25D 21/12 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/14 ,  H01L 21/288
FI (5件)：
C25D 21/12 A ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/14 B ,  H01L 21/288 E
Fターム (10件)：
4K024AA09 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CA16 ,  4K024CB08 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52
引用特許：
審査官引用 (8件)
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