特許
J-GLOBAL ID:200903064856819853

多層配線基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-243231
公開番号(公開出願番号):特開2001-068852
出願日: 1999年08月30日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】微細配線化、低抵抗化を可能とし、かつ、絶縁基板の脱バインダを容易にできる多層配線基板を提供する。【解決手段】セラミックスからなる絶縁基板2と、絶縁基板2に形成された複数層の配線回路層3、5とを具備する多層配線基板1において、配線回路層3、5のうちの少なくとも一部を、絶縁基板2と同時焼成されてなる金属箔によって形成するとともに、金属箔配線回路層3が形成された絶縁基板2の層面内における金属箔の占める面積比率を50%以下とする。
請求項(抜粋):
セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板に形成された複数層の配線回路層とを具備する多層配線基板において、前記配線回路層のうちの少なくとも一部が前記絶縁基板と同時焼成されてなる金属箔からなるとともに、前記金属箔の配線回路層が形成された前記絶縁基板の層面内における金属箔の占める面積比率が50%以下であることを特徴とする多層配線基板。
Fターム (28件):
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346BB02 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346BB11 ,  5E346CC17 ,  5E346CC18 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD33 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG03 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 多層セラミック基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-225501   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開昭49-054858
  • 特開昭52-009862
全件表示

前のページに戻る