特許
J-GLOBAL ID:200903064878155800
環状コンタクト付き多層トランスデューサ
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (9件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 岡本 正之
, 深川 英里
, 森本 聡二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-109031
公開番号(公開出願番号):特開2008-271559
出願日: 2008年04月18日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】複数の圧電層および環状コンタクトを有するトランスデューサ構造を提供する。【解決手段】トランスデューサ構造が、第1のトランスデューサを含み、この第1のトランスデューサは、第1の内側電極と、第1の外側電極と、下側内側電極と、下側外側電極と、第1の電極と下側電極との間にある第1の圧電素子と、第1の内側電極と第1の外側電極との間の第1のギャップと、下側内側電極と下側外側電極との間の下側ギャップとを備える。トランスデューサ構造はまた、第2のトランスデューサを含み、この第2のトランスデューサは、第2の内側電極と、第2の外側電極と、下側内側電極と、下側外側電極と、第2の電極と下側電極との間にある第2の圧電素子と、第2の内側電極と第2の外側電極との間にある第2のギャップとを備える。【選択図】 図3B
請求項(抜粋):
トランスデューサ構造であって、
第1のトランスデューサと、
第2のトランスデューサと、
を有し、
前記第1のトランスデューサが、
第1の内側電極と、
第1の外側電極と、
下側内側電極と、
下側外側電極と、
前記第1の内側電極および前記第1の外側電極と前記下側内側電極および前記下側外側電極との間にある第1の圧電素子と、
前記第1の内側電極と前記第1の外側電極との間の第1のギャップと、
前記下側内側電極と前記下側外側電極との間の下側ギャップと、
を備え、
前記第2のトランスデューサが、
第2の内側電極と、
第2の外側電極と、
前記下側内側電極と、
前記下側外側電極と、
前記第2の内側電極および前記第2の外側電極と前記下側内側電極および前記下側外側電極との間にある第2の圧電素子と、
前記第2の内側電極と前記第2の外側電極との間の第2のギャップと、
を備えること、
を特徴とするトランスデューサ構造。
IPC (1件):
FI (2件):
H04R17/00
, H04R17/00 330H
Fターム (7件):
5D004AA01
, 5D004CC01
, 5D004CD07
, 5D004FF04
, 5D004FF09
, 5D019AA21
, 5D019BB12
引用特許: